STP20NK50Z技术参数详情：
STP20NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至270毫欧（@10V Vgs， 8.5A Id）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这为高压应用提供了高效率的开关解决方案。
该器件设计注重降低开关损耗，其最大栅极电荷（Qg）仅为119nC，有助于实现快速开关并简化驱动电路。在壳温条件下，它能处理17A的连续漏极电流，最大功耗达190W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，确保了在电源转换、电机驱动等高压大电流场景中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP20NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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