STW18N60DM2技术参数详情：
STW18N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），为高压、中功率应用提供了坚实的基础。
其技术优势在于实现了低导通损耗与低开关损耗的优化组合。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至295毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC，这使其在高频开关电源中能显著提升效率并降低热耗散。器件结温最高支持150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行，是工业级开关电源、PFC电路和电机驱动等应用的可靠选择。
- 型号:STW18N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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