STP20NM50FP

STP20NM50FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气规格包括550V的漏源击穿电压（Vdss）和20A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至250毫欧（@10A），能有效降低传导损耗；同时，最大56nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升整体能效。器件工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其非常适用于开关电源、电机驱动及功率转换等领域的核心功率开关部位。

• 型号:STP20NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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