STPSC16H065CT技术参数详情：
STPSC16H065CT是意法半导体推出的一款650V/8A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装和共阴极配置。其核心优势在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），从根本上消除了开关损耗，特别适用于高频开关应用。
该器件在8A电流下的正向压降仅为1.75V，兼具低导通损耗特性。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，反向漏电流极低，确保了在高温高压条件下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为提升服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等中高功率系统效率和功率密度的理想选择。
- 型号:STPSC16H065CT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
- 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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