STP20NM60FP

STP20NM60FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh技术制造。该器件在TO-220FP封装内集成了600V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大功率应用提供了核心开关解决方案。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻，这显著降低了功率损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速的开关性能，有助于提升系统整体效率与功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业能源转换等领域的理想选择。

• 型号:STP20NM60FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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