STL60N32N3LL

STL60N32N3LL是意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双N沟道非对称功率MOSFET，封装于8-PowerVDFN中。该器件集成了两个性能参数不同的通道，旨在为复杂的电源拓扑提供高度集成的解决方案。

其核心电气特性包括30V的漏源电压，以及分别为32A和60A的双通道连续漏极电流能力。关键性能参数突出：极低的导通电阻（低至9.2毫欧）确保了高效的功率传输，而逻辑电平门驱动（V_GS(th) ≤ 1V）配合极低的栅极电荷（6.6nC）和输入电容（950pF），使其能够实现高速开关并简化驱动电路设计。这些特性共同指向高效率、高功率密度的应用目标。

该器件适用于工作温度范围-55°C至150°C，采用表面贴装形式，主要面向空间受限的先进电源管理系统，如同步整流DC-DC转换器和低压大电流负载点（PoL）模块。

• 型号:STL60N32N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A，60A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 25V
• 功率 - 最大值:23W，50W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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