STP210N75F6

STP210N75F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了高电压（75V Vdss）与大电流（120A Id）处理能力，并实现了极低的导通电阻（典型值3.7mΩ @ 10V, 60A），这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。

该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）为171nC，有助于实现快速切换并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和高达300W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的高可靠性，适用于要求稳健性能的工业与能源应用。

• 型号:STP210N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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