STB80NF55-08-1技术参数详情：
STB80NF55-08-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其55V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力，结合其极低的导通电阻（典型值8毫欧@10V，40A），能够显著降低功率应用中的传导损耗。
其设计兼顾了开关性能与可靠性，最大栅极电荷为155nC，支持±20V的栅源电压，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些参数使其成为高电流开关和功率转换应用的理想选择，旨在提升系统的效率与功率密度。
- 制造商产品型号：STB80NF55-08-1
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：155nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3850pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK
- 现在可以订购STB80NF55-08-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
