STP21NM50N

STP21NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D），专为高压、高功率应用设计。

其技术亮点在于实现了优异的导通电阻与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为190毫欧（@9A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，较低的栅极电荷有助于提升开关速度并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用中追求高效能功率转换的理想选择。

• 型号:STP21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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