STD100N03LT4

STD100N03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术及DPAK封装。其核心优势在于30V的漏源电压下支持高达80A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为5.5毫欧（@10V Vgs, 40A Id），这显著降低了功率传导损耗。

器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为27nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大1V，确保了在高频开关电源应用中能够实现高效、快速的切换。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）与110W的最大功率耗散能力，为其在 demanding 的工业与计算应用中提供了可靠的性能保障。

• 型号:STD100N03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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