STB45N65M5技术参数详情：
STB45N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下35A的连续漏极电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流余量。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为78毫欧，结合优化的栅极电荷（Qg），共同实现了更低的导通与开关损耗，有助于提升系统整体能效。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达210W的功率耗散和150°C的结温工作，确保了在紧凑设计下的可靠散热与稳定运行。
- 型号:STB45N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB45N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
