STP24NM65N

STP24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9.5A），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为70nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC电路等高效能功率转换设计的理想选择。

• 型号:STP24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP24NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。