STGP8M120DF3技术参数详情：
STGP8M120DF3是意法半导体基于沟槽栅场截止技术开发的1200V、16A IGBT。该器件在15V栅极驱动、8A集电极电流条件下的典型导通压降（Vce(on)）最大值仅为2.3V，有效降低了导通损耗。其开关能量（Eon/Eoff）分别为390J和370J，具备快速开关特性，支持高效率的功率转换。
该IGBT采用标准输入电平，栅极电荷为32nC，便于驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，采用通孔封装，确保了在工业及汽车等高要求环境下的可靠性与散热性能。这些参数共同构成了其在电机驱动、逆变器和电源系统中实现高功率密度与高可靠性的核心优势。
- 型号:STGP8M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
- 功率 - 最大值:-
- 开关能量:390J（导通），370J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:32 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
- 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):103 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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