STP25N80K5技术参数详情：
STP25N80K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id）能力，专为要求高耐压和高电流处理能力的应用而设计。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容参数有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高效、可靠的功率开关解决方案。
- 型号:STP25N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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