STP25NM60N技术参数详情：
STP25NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压额定值与160毫欧的低导通电阻，在25°C壳温下可连续承受21A的电流，最大功率耗散达160W，为高压大电流应用提供了坚实的性能基础。
其技术亮点包括优化的栅极特性，标准10V驱动电压下栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关并降低开关损耗。器件采用TO-220AB通孔封装，最高结温为150°C，确保了良好的散热性和在苛刻环境下的工作可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业电源系统中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STP25NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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