STP26N60M2技术参数详情：
STP26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下20A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。
采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为169W（Tc），兼顾了安装便利性与散热效能。其技术亮点在于MDmesh M2技术带来的优化，旨在实现更低的导通损耗和更优的开关特性，从而提升整体能效。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正、电机驱动及照明系统等应用中高效、可靠功率开关的理想选择。
- 型号:STP26N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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