STGWT60V60DF技术参数详情：
STGWT60V60DF是意法半导体推出的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P封装。该器件在15V栅极驱动、60A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，具备优异的导通性能，最大功耗为375W。
其开关特性经过优化，开启与关断延迟时间分别为60ns和208ns，对应的开关能量为750J和550J，反向恢复时间为74ns，确保了在中等开关频率应用中的高效能与低损耗。器件支持高达240A的脉冲电流，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，为电机驱动、电源转换等应用提供了高可靠性的功率开关解决方案。
- 型号:STGWT60V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:750J（导通），550J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:334 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/208ns
- 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):74 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:-
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