STP270N04技术参数详情：
STP270N04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，具备40V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为2.9毫欧，这能有效降低传导损耗，提升系统效率。同时，150nC的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够胜任高效率开关和严苛环境下的应用需求。
- 型号:STP270N04
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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