STP270N4F3

STP270N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS、80A条件下典型值仅为2.9毫欧，配合高达120A（T_C）的连续漏极电流处理能力，能够显著降低功率转换系统中的传导损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为150nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，提升整体系统效率。40V的漏源电压（V_DSS）和330W（T_C）的最大功率耗散，使其能够胜任高功率密度应用。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STP270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP270N4F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。