STP27N3LH5技术参数详情：
STP27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为30V漏源电压（Vdss）和27A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。
其关键技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为20毫欧，可显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大4.6nC @ 5V）确保了出色的高频开关性能，有助于提升整体系统效率。器件支持宽范围栅极驱动，兼容逻辑电平控制，工作结温高达175°C，具备良好的鲁棒性。
- 型号:STP27N3LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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