NAND01GW4B2AN6E技术参数详情：
NAND01GW4B2AN6E是ST意法半导体推出的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。其核心卖点在于30ns的快速页写入与访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，这为嵌入式系统提供了高效的数据吞吐能力和灵活的电源设计适应性。
该器件组织为64M x 16位，采用并联接口，便于与主机控制器连接。其工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围，并采用表面贴装形式，确保了在严苛环境下的可靠性和紧凑的电路板布局。这些参数使其成为对数据存储速度、功耗和环境鲁棒性有要求的应用的合适选择。
- 型号:NAND01GW4B2AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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