STP28NM50N

STP28NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至158毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压环境下实现高效的功率切换。

其技术参数针对降低系统损耗进行了优化：21A（Tc）的连续漏极电流承载能力和150W的最大功率耗散确保了高功率输出能力；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值50nC）和输入电容有助于减少开关损耗，提升开关频率，从而优化电源系统的整体效率与功率密度。这些特性使其成为工业级电源和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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