STP2N95K5技术参数详情：
STP2N95K5是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达950V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的电压耐受基础。
其技术优势在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至5欧姆（@1A），同时栅极电荷（Qg）极小，典型值仅为10nC。这种特性组合使得该MOSFET在开关电源等应用中能同时实现较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STP2N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP2N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
