STU5N60M2

STU5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与3.7A连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.4欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值4.5nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度与低开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及照明驱动等高效能转换设计的理想选择。

• 型号:STU5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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