STP30NF20

STP30NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其200V的漏源电压（V_DSS）和30A的连续漏极电流（I_D）处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至75毫欧（@15A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（38nC @10V）确保了快速的开关速度，有助于提升开关电源等工作频率较高系统的效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和125W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠运行。

• 型号:STP30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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