L6385ED013TR技术参数详情：
L6385ED013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，属于有源的电源管理器件。该器件集成了两个独立驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，其高压侧自举架构最高可支持600V工作电压。
其核心优势在于强大的驱动能力与快速的开关速度。器件提供高达650mA（拉出）和400mA（灌入）的峰值输出电流，确保了对功率器件栅极的高效驱动。同时，典型值50ns的上升时间和30ns的下降时间，显著减少了开关损耗，提升了系统效率。宽泛的工作温度范围（-40°C至150°C TJ）和17V的最大供电电压，使其能够稳定应对苛刻的工业环境需求。
- 型号:L6385ED013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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