STP30NM50N

STP30NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件核心特性在于其500V的漏源电压（Vdss）和27A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至115毫欧，能有效降低传导损耗；同时，最大94nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关性能，有助于提升电源系统的整体效率和功率密度。这些参数使其成为工业电源、PFC电路和电机驱动等应用中功率开关部分的可靠选择。

• 型号:STP30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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