STL6P3LLH6

STL6P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能P沟道MOSFET，隶属于STripFET H6产品系列。该器件设计用于30V电压环境，可提供高达6A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值30mΩ @ 10V V_GS）与低栅极电荷（12nC @ 4.5V）的出色结合。

这种参数组合确保了在开关应用中兼具低导通损耗和高速切换性能，有助于提升整体电源系统的效率。其紧凑的3.3x3.3mm表面贴装封装优化了散热，支持150°C的最高结温，适用于空间受限的高密度设计，是便携式电子设备电源管理、负载开关和低压电机控制的理想解决方案。

• 型号:STL6P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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