STP33N60DM2

STP33N60DM2是ST意法半导体基于MDmesh DM2技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id）额定值，结合低至130毫欧（@12A, 10V）的导通电阻，为高压大电流应用提供了优异的导通性能与能效表现。

其43nC的较低栅极电荷有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗。器件采用TO-220封装，最大功率耗散为190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统等高要求应用中的高效解决方案。

• 型号:STP33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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