STP33N60DM6技术参数详情：
STP33N60DM6是ST意法半导体MDmesh M6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了600V的高耐压与25A的大电流处理能力，同时凭借先进的超结技术实现了极低的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。
该器件具备优化的动态特性，如较低的栅极电荷和输入电容，有助于提升开关速度并降低开关损耗，从而提升整体系统效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的设计，确保了在工业级应用中的高可靠性与稳定性，是高效电源转换和电机控制方案的理想选择。
- 型号:STP33N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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