STD60NF55LT4技术参数详情：
STD60NF55LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其高达60A的连续漏极电流处理能力与低至15毫欧（@10V，30A）的导通电阻，这使其在导通期间的功率损耗显著降低，从而提升系统整体能效。
其电气参数设计均衡实用，55V的漏源电压额定值为常见的低压电源系统提供了充足的保护裕度。器件支持宽范围的栅极驱动电压（4.5V至10V），易于驱动，且具备较低的栅极电荷，有助于优化开关性能。结合其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和100W的功率耗散能力，STD60NF55LT4成为要求高可靠性、高效率的功率开关应用的坚实选择。
- 型号:STD60NF55LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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