STP35N65M5

STP35N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件提供了650V的漏源电压（Vdss）额定值和27A（Tc）的连续漏极电流能力，专为高压、高电流开关应用而优化。

其核心优势在于出色的导通性能，在10V Vgs、13.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至98毫欧，能显著降低导通损耗。同时，83nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。器件采用TO-220AB封装，最大功率耗散为160W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与散热效能。

• 型号:STP35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP35N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。