STP5NK65Z

STP5NK65Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）与仅35nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了较低的导通损耗与快速的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了系统的鲁棒性。

综合其高耐压、良好的导通与开关特性，STP5NK65Z主要定位于开关模式电源（SMPS）、功率因数校正及工业控制等领域的功率开关角色，是一款针对高效能需求设计的功率半导体解决方案。

• 型号:STP5NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP5NK65Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。