STP35NF10

STP35NF10是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心额定参数为100V漏源电压（Vdss）与40A连续漏极电流（Id），专为要求高效率和可靠性的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下，Rds(on)最大值仅为35毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大55nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，优化整体转换效率。尽管该型号目前已停产，但其参数组合包括175°C的最高结温工作和115W的功率耗散能力使其曾是电机驱动、DC-DC转换和开关电源等领域的经典选择之一。

• 型号:STP35NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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