STP36N55M5技术参数详情：
STP36N55M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于550V的高漏源电压（Vdss）与低至80毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这确保了在高压应用中能够实现较低的传导损耗。
该器件在25°C壳温下的连续漏极电流为33A，最大功耗达190W，具备较强的功率处理能力。同时，其栅极电荷（Qg）仅为62nC，有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为适用于高效电源转换和电机驱动方案的功率开关选择。
- 型号:STP36N55M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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