STP36NF06FP技术参数详情：
STP36NF06FP是ST意法半导体推出的STripFET II系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡，其最大导通电阻低至40毫欧（@10V，15A），同时栅极电荷最大值仅为31nC，这有助于在应用中实现低传导损耗和高频开关效率。
该MOSFET的额定电压为60V，在壳温条件下可持续通过18A电流，最大功耗25W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和±20V的栅源电压耐受能力，确保了其在各种工业与电源管理应用中的可靠性和鲁棒性。
- 型号:STP36NF06FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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