STP38N65M5

STP38N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高耐压与低至95毫欧（@10V，15A）的导通电阻的出色结合，这确保了在高功率应用中兼具卓越的可靠性与高效率。

其30A（Tc）的连续电流处理能力与71nC的低栅极电荷，使得该MOSFET能够有效降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及电机控制等中高功率密度应用的理想解决方案。

• 型号:STP38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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