STP3N62K3技术参数详情：
STP3N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括620V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V Vgs、1.4A Id条件下最大2.5欧姆的低导通电阻，这有效优化了功率转换效率。
器件在壳温条件下支持2.7A的连续电流和45W的功率耗散，并采用TO-220AB通孔封装以利于散热。其栅极电荷（Qg）低至13nC（最大值），有助于实现快速开关并降低驱动损耗，而±30V的栅源电压耐受范围则增强了系统的鲁棒性。
- 型号:STP3N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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