STP3NK60Z

STP3NK60Z是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下2.4A的连续电流承载能力，为功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态特性平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.6Ω，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=11.8nC）和输入电容（Ciss）确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗45W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热管理能力和环境适应性。

• 型号:STP3NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP3NK60Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。