STP3NK60ZFP技术参数详情：
STP3NK60ZFP是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与2.4A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备良好的功率处理与散热能力。
其技术亮点在于实现了导通电阻与栅极电荷的良好折衷，在10V驱动电压下具有较低的导通损耗，同时11.8nC的最大栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为面向离线式电源、LED照明驱动等高压开关应用的可靠解决方案。
- 型号:STP3NK60ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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