STF40N60M2技术参数详情：
STF40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压高效开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id）规格，提供了强大的功率处理能力。
其技术亮点在于优异的动态性能与静态参数的平衡。器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至88毫欧（@17A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大57nC）显著减少了开关过程中的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高功率密度与高可靠性的理想选择。
- 型号:STF40N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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