STP40N65M2技术参数详情：
STP40N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与低至99毫欧（@10V， 16A）的导通电阻的出色结合，这确保了其在高压应用中既能承受足够的电压应力，又能有效降低传导损耗。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）仅为56.5nC，有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。器件在壳温25°C下可支持32A的连续漏极电流，最大结温达150°C，功率处理能力强劲。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动、PFC电路及能源逆变系统中功率开关单元的可靠选择。
- 型号:STP40N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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