STW35N60M2-EP技术参数详情：
STW35N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款600V N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件针对高压、高效率功率转换应用而优化，在25°C壳温下可提供高达26A的连续漏极电流，并支持最高150°C的结温，确保了在严苛工况下的稳定运行能力。
其核心技术价值在于通过MDmesh M2-EP工艺实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这一特性使其在硬开关和软开关拓扑中均能有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效和功率密度。它主要面向工业级电源、电机驱动及新能源逆变器等要求高可靠性与高效率的应用领域。
- 型号:STW35N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
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