STP40NF03L技术参数详情：
STP40NF03L是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于低压、高电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的开关特性。
它在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为22毫欧，有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷低至15nC，支持快速的开关频率，有助于提升系统整体效率。器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达40A（Tc），并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于要求严苛的功率开关场景。
- 型号:STP40NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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