STP40NF10L技术参数详情：
STP40NF10L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件核心卖点在于其优异的功率处理能力与低损耗特性，其漏源电压（Vdss）额定值为100V，在壳温条件下可支持高达40A的连续漏极电流。
其关键优势体现在极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为33毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其具备2.5V的低栅极阈值电压和优化的栅极电荷，确保了其能够被标准逻辑电平高效驱动，并实现快速的开关性能，适用于高效率的功率开关应用。
- 型号:STP40NF10L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±17V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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