STP410N4F7AG

STP410N4F7AG是STMicroelectronics（ST意法半导体）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET F7产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，专为高电流、高效率应用而设计。

其核心优势在于高达180A的连续漏极电流（T_C条件下）和40V的漏源电压（V_DSS）额定值，结合优化的技术实现了极低的导通电阻，从而显著降低传导损耗。此外，其支持4.5V至10V的栅极驱动电压，兼容性强，便于驱动电路设计。

这些特性使其成为同步整流、大电流DC-DC转换和电机控制等应用的理想选择，能够在提升系统功率密度的同时确保出色的热性能和可靠性。

• 型号:STP410N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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