SCT10N120AG技术参数详情：
SCT10N120AG是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率FET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的SiCFET技术，提供了1200V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，专为应对高压、大电流的苛刻应用环境而设计。
其核心优势在于极低的开关与导通损耗，这得益于最大仅690毫欧的低导通电阻和仅22nC的低栅极电荷。这些特性共同实现了高效率与高开关频率的运行，有助于缩小系统体积并提升功率密度。此外，器件采用HiP247通孔封装，支持-55°C至200°C的宽工作结温范围，确保了在汽车及工业应用中的卓越可靠性与热性能。
- 型号:SCT10N120AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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