STP42N60M2-EP技术参数详情：
STP42N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心优势在于结合了600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id）能力，同时通过优化的技术实现了低至87毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅55nC的栅极电荷（Qg）。
这些参数特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了出色平衡，特别适合高频开关操作。器件采用TO-220封装，最大结温为150°C，热性能可靠，为工程师在提升系统效率和功率密度方面提供了强有力的硬件支持。
- 型号:STP42N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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