STP43N60DM2

STP43N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于600V的漏源击穿电压（V_DSS）和34A（T_C=25°C）的连续电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的开关性能与低损耗上。导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS下最大仅为93mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g典型值56nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。TO-220封装和250W（T_C）的功率耗散能力保障了良好的热性能，使其成为工业电源、电机驱动等高效能转换设计的理想选择。

• 型号:STP43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP43N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。