STI45N10F7技术参数详情：
STI45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK（TO-262）通孔封装。该器件隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列，核心优势在于其优异的电气性能平衡。
其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达45A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至18毫欧（@22.5A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大25nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件设计工作结温范围宽广（-55°C ~ 175°C），最大功率耗散为60W（Tc），确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STI45N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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